SiC碳化硅MOSFET功率器件栅氧可靠性验证

这份文档围绕碳化硅MOSFET可靠性展开，重点阐述了加速可靠性试验，具有多方面的价值和意义。首先，文档明确了加速可靠性试验的定义，即在高应力条件下测试产品，以揭示正常服役下可能的失效模式并预测寿命。这有助于相关研究人员深入理解该试验的本质。其次，介绍了适用对象为研发阶段产品，涵盖了早期失效、偶发失效和耗损失效等产品失效阶段的相关内容，这为研发人员评估产品可靠性提供了理论依据。再者，详细列出了多种可靠性实验方法，如高温反偏、高温栅偏等的测试条件和参考标准，方便实验人员进行操作。在实验原理方面，分别阐述了HTGB和TDDB实验原理，这有助于专业人员理解不同实验对碳化硅MOSFET可靠性研究的意义。对于浏览者来说，无论是从事碳化硅MOSFET研发、制造还是应用的人员，都能从文档中获取到全面且系统的可靠性相关知识，从而有助于提高产品的可靠性，在相关领域的工作中做出更好的决策。