详细介绍
该文档具有多方面的价值和意义。首先,对于从事电力电子领域相关工作的专业人士,如电路设计工程师、电力设备研发人员等,它提供了150A APF P2机型和150A APF P5 SiC机型在不同电路位置的器件使用情况,包括主功率逆变、门极驱动板和辅助电源等部分的具体器件型号,这有助于他们进行类似产品的设计或优化。其次,文档详细阐述了基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品的开发情况,基于6英寸晶圆平台开发的新品在品质系数因子、开关损耗和可靠性方面有更出色表现,并且封装更加丰富。再者,文档给出了不同电压下B2M SiC MOSFET系列产品在多种封装形式下的RDS(on)等详细参数,同时对表征器件损耗的RDS(ON)、QG、FOM等参数做了深入解释,还对比了基本半导体与其他品牌同类型号产品的工艺技术、性能参数等。这对于浏览者来说,可以全面了解基本半导体的碳化硅MOSFET产品,为其在产品选型、性能评估等方面提供了重要依据。
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件在有源滤波器APF中的应用-图一
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